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中文參數如下:
功率耗散:150 W
柵極電荷 Qg:90.8 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7.3 S, 6.8 S
封裝形式:TO-247-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):80 mOhms
漏極連續電流:33 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:1200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Cree, Inc.
以上是CMF20120D的詳細信息,包括CMF20120D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!