色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSZ123N08NS3 G

BSZ123N08NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數量：: 1212
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

一、本商品被瀏覽0次.

BSZ123N08NS3 G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GXT SP000443632
典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：5000
上升時間：18 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0123 Ohms
漏極連續電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ123N08NS3 G的詳細信息，包括BSZ123N08NS3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：