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BSP318SE6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-223
數(shù)量：: 6795
說明：: MOSFET N-CH 60 V

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BSP318SE6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：15 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5.5 S / 2.4 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.09 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSP318SE6327的詳細(xì)信息，包括BSP318SE6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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