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BSP129E6327T

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-SOT223-4
數量：
 7875  
說明：
 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
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BSP129E6327T-PG-SOT223-4圖片

BSP129E6327T PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：耗盡模式
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 歐姆 @ 350mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：240V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：350mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 108µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：5.7nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：108pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是BSP129E6327T的詳細信息，包括BSP129E6327T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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