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BSP125 E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 7794
說明：: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

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BSP125 E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 歐姆 @ 120mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：120mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 94µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：6.6nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：150pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是BSP125 E6327的詳細(xì)信息，包括BSP125 E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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