色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > BSM50GD170DL

BSM50GD170DL

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Econo 3
數量：: 1658
說明：: IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 100A

一、本商品被瀏覽0次.

BSM50GD170DL PDF參數資料

中文參數如下：

安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：Econo 3
最大工作溫度：+ 125 C
在25 C的連續集電極電流：100 A
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V
配置：Hex
產品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是BSM50GD170DL的詳細信息，包括BSM50GD170DL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器