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中文參數如下：

工廠包裝數量：500
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：62 mm
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：3.12 KW
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續集電極電流：800 A
集電極—射極飽和電壓：2.6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1700 V
配置：Single Dual Emitter
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM400GA170DLC的詳細信息，包括BSM400GA170DLC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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