色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > BSM35GD120DN2E3224

BSM35GD120DN2E3224

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: EconoPACK 2
數量：: 5398
說明：: IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A

一、本商品被瀏覽0次.

BSM35GD120DN2E3224 PDF參數資料

中文參數如下：

安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
包裝形式：Reel
封裝形式：EconoPACK 2
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：280 W
柵極—射極漏泄電流：150 nA
在25 C的連續集電極電流：50 A
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是BSM35GD120DN2E3224的詳細信息，包括BSM35GD120DN2E3224廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器