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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：935W（Tc）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：14000pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 22mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：134A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 個(gè) N 溝道
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Rohm Semiconductor
以上是BSM120C12P2C201的詳細(xì)信息，包括BSM120C12P2C201廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
