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BSC060P03NS3E G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數量：: 14905
說明：: MOSFET P-Channel -30V MOSFET

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BSC060P03NS3E G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGXT SP000472984
典型關閉延遲時間：66 nS
工廠包裝數量：5000
上升時間：139 nS
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：61 nC
下降時間：34 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6 mOhms at - 10 V
漏極連續電流：- 100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC060P03NS3E G的詳細信息，包括BSC060P03NS3E G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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