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BSC018NE2LSIXT

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數(shù)量：: 1098
說明：: MOSFET OptiMOS Power MOSFET

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BSC018NE2LSIXT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns
上升時(shí)間：4.8 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：36 nC
下降時(shí)間：3.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.8 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC018NE2LSIXT的詳細(xì)信息，包括BSC018NE2LSIXT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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