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BSB017N03LX3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: MG-WDSON-2，CanPAK M?
數(shù)量：: 5427
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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BSB017N03LX3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSB017N03LX3GXT BSB017N03LX3GXUMA1 SP000604468
典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時間：6.4 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 40 C
柵極電荷 Qg：77 nC
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MG-WDSON-2
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0017 Ohms
漏極連續(xù)電流：32 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSB017N03LX3 G的詳細信息，包括BSB017N03LX3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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