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中文參數如下：
晶體管極性：NPN
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 200 C
包裝形式：Tray
功率耗散：233 W
最大直流電集電極電流：20 A
集電極連續電流：10 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：55 V
最大工作頻率：28 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
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