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BLS6G2731-6G

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 SOT975C
數量：
 8118  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
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BLS6G2731-6G PDF參數資料

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中文參數如下：

電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.26 Ohms
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：SOT975C
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：13 V
漏極連續電流：3.5 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：NXP

以上是BLS6G2731-6G的詳細信息，包括BLS6G2731-6G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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