色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > BLA6G1011LS-200RG,

BLA6G1011LS-200RG,

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-502C
數(shù)量：: 6165
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 PWR LDMOS TRANSISTOR

一、本商品被瀏覽0次.

BLA6G1011LS-200RG, PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：20
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-502C
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：13 V
漏極連續(xù)電流：49 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：200 W
增益：20 dB
頻率：1.03 GHz to 1.09 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BLA6G1011LS-200RG,的詳細(xì)信息，包括BLA6G1011LS-200RG,廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：

TC375DP96F300SAAKXUMA1

RS1L120GNTB

TC58CVG0S3HRAIJ