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BFS 481 E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT363-PO
數量:
 3213  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
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BFS 481 E6327-PG-SOT363-PO圖片

BFS 481 E6327 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BFS481E6327XT
工廠包裝數量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:175 mW
集電極連續電流:0.02 A
封裝形式:SOT-363-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:70 at 5 mA at 8 V
增益帶寬產品fT:8000 MHz
最大直流電集電極電流:0.02 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:12 V
集電極—基極電壓 VCBO:20 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Infineon

以上是BFS 481 E6327的詳細信息,包括BFS 481 E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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