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BFG 19S E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT223-4
數量:
 1116  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RF Trans
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BFG 19S E6327-PG-SOT223-4圖片

BFG 19S E6327 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:1000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:1000 mW
集電極連續(xù)電流:0.1 A
封裝形式:SOT-223-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:70 at 70 mA at 8 V
增益帶寬產品fT:5500 MHz
最大直流電集電極電流:0.21 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V
集電極—基極電壓 VCBO:20 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Infineon

以上是BFG 19S E6327的詳細信息,包括BFG 19S E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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