BDP 953 E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-223-4
數量：: 7191
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF Power TRANSISTOR

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BDP 953 E6327 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BDP953E6327HTSA1 BDP953E6327XT SP000010934
工廠包裝數量：1000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：5000 mW
集電極連續電流：3 A
封裝形式：SOT-223-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：25 at 10 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 1 V, 15 at 2 A at 2 V
增益帶寬產品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：120 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BDP 953 E6327的詳細信息，包括BDP 953 E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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