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BDP 953 E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 SOT-223-4
數量:
 7191  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF Power TRANSISTOR
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BDP 953 E6327-SOT-223-4圖片

BDP 953 E6327 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BDP953E6327HTSA1 BDP953E6327XT SP000010934
工廠包裝數量:1000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:5000 mW
集電極連續電流:3 A
封裝形式:SOT-223-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:25 at 10 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 1 V, 15 at 2 A at 2 V
增益帶寬產品fT:100 MHz
最大直流電集電極電流:3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:100 V
集電極—基極電壓 VCBO:120 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Infineon

以上是BDP 953 E6327的詳細信息,包括BDP 953 E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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