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BD1396STU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-126
數量:
 12171  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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BD1396STU-TO-126圖片

BD1396STU PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:60
包裝形式:Tube
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:12.5 W
直流電流增益 hFE 最大值:250
集電極連續電流:1.5 A
封裝形式:TO-126
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:40
最大直流電集電極電流:1.5 A
集電極—射極飽和電壓:80 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:80 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BD1396STU的詳細信息,包括BD1396STU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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