色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BCR 153F E6327

BCR 153F E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSFP-3
數量：: 2511
說明：: TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3

一、本商品被瀏覽0次.

BCR 153F E6327 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

晶體管類型：PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：2.2K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）：2.2K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：20 @ 20mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 1mA, 20mA
電流 - 集電極截止（最大）：-
頻率 - 轉換：200MHz
功率 - 最大：250mW
安裝類型：表面貼裝

以上是BCR 153F E6327的詳細信息，包括BCR 153F E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：