點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：250mW
頻率 - 躍遷：100MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 5mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：47 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：47 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BCR148SH6327XTSA1的詳細信息，包括BCR148SH6327XTSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：

RN2965FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

RN2904FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

RN1673(TE85L,F)

RN1971FE(TE85L,F)