色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BCR 112L3 E6327

BCR 112L3 E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSLP-3-4
數量：: 4554
說明：: TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3

一、本商品被瀏覽0次.

BCR 112L3 E6327 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
晶體管類型NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）4.7K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）4.7K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)20 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）-
頻率 - 轉換140MHz
功率 - 最大250mW
安裝類型表面貼裝

以上是BCR 112L3 E6327的詳細信息，包括BCR 112L3 E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：