色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BC 850BW E6327

BC 850BW E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-323-3
數量：: 6237
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

一、本商品被瀏覽0次.

BC 850BW E6327 PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：BC850BWE6327XT
工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：250 mW
集電極連續電流：0.1 A
封裝形式：SOT-323-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產品fT：250 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流：0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Infineon

以上是BC 850BW E6327的詳細信息，包括BC 850BW E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：