色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BC849BW /T3

BC849BW /T3

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-323
數(shù)量：: 6516
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11

一、本商品被瀏覽0次.

BC849BW /T3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BC849BW,135
工廠包裝數(shù)量：10000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：200 mW
封裝形式：SOT-323
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：30 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是BC849BW /T3的詳細(xì)信息，包括BC849BW /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：