色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BC307BZL1

BC307BZL1

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-92-3 (TO-226)
數(shù)量：: 2016
說明：: 兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP

一、本商品被瀏覽0次.

BC307BZL1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：- 0.1 A
封裝形式：TO-92-3 (TO-226)
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：280 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：- 45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 45 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 50 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是BC307BZL1的詳細(xì)信息，包括BC307BZL1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：