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BASH19LT1G

廠家：: onsemi
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 5562
說明：: DIODE GP 120V 200MA SOT23-3

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BASH19LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：5pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 nA @ 100 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：50 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 200 mA
電流 - 平均整流 (Io)：200mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：120 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是BASH19LT1G的詳細信息，包括BASH19LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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