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B66283P0000X149

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 8928
說(shuō)明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 I18/2/10 N49OL

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B66283P0000X149 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長(zhǎng)度：0.709（18.00mm）
高度：0.079（2.00mm）
表面：無(wú)涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：802
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：38.9
有效面積 (Ae) mm2：39.5
有效長(zhǎng)度 (le) mm：20.3
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.51
初始磁導(dǎo)率 (μi)：1500
有效磁導(dǎo)率 (μe)：860
間隙：無(wú)缺口
容差：±25%
電感因數(shù) (Al)：2.1 μH
直徑：-
材料：N49
封裝：I 18 x 2 x 10
磁心類型：I
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

以上是B66283P0000X149的詳細(xì)信息，包括B66283P0000X149廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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