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B65671T0250G048

廠家：
  EPCOS
封裝：
 
數(shù)量：
 1980  
說明：
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 26X16 N482 50 +2% -2%
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B65671T0250G048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：-
高度：0.321（8.15mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：3460
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：76.5
有效面積 (Ae) mm2：93
有效長度 (le) mm：37.2
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.4
初始磁導率 (μi)：-
有效磁導率 (μe)：80
間隙：有缺口
容差：±3%
電感因數(shù) (Al)：250 nH
直徑：1.024（26.00mm）
材料：N48
封裝：P 26 x 16
磁心類型：P（罐形磁芯）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：P26/16
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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