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B65611T0250G048

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 1694  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 P 36X22 N48 250 +2% -2%
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B65611T0250G048 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:-
高度:0.433(11.00mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:10500
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:-
有效面積 (Ae) mm2:202
有效長度 (le) mm:52
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.26
初始磁導(dǎo)率 (μi):-
有效磁導(dǎo)率 (μe):51
間隙:有缺口
容差:±2%
電感因數(shù) (Al):250 nH
直徑:1.417(36.00mm)
材料:N48
封裝:P 36 x 22
磁心類型:P(罐形磁芯)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:P36/22
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

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