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APTM20UM09SG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: 模塊
數量：: 1818
說明：: MOSFET N-CH 200V 195A J3

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APTM20UM09SG PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 74.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs217nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C195A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 12300pF @ 25V
功率 - 最大780W
安裝類型底座安裝

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