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APTM20DHM08G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP6
數量：: 1611
說明：: MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6

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APTM20DHM08G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型2 N 溝道（非對稱橋）
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 104A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs280nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C208A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 14400pF @ 25V
功率 - 最大781W
安裝類型底座安裝

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