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APTGT150H170G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP6
數量：: 7929
說明：: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

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APTGT150H170G PDF參數資料

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中文參數如下：
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）1700V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.4V @ 15V, 150A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）250A
電流 - 集電極截止（最大）350µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)13.5nF @ 25V
功率 - 最大890W
輸入標準型
配置全橋反相器
NTC 熱敏電阻無
安裝類型底座安裝

以上是APTGT150H170G的詳細信息，包括APTGT150H170G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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