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APTC80H29T1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP1
數量：: 5922
說明：: MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1

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APTC80H29T1G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型4 N 通道（半橋）
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C290 毫歐 @ 7.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)800V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3.9V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C15A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2254pF @ 25V
功率 - 最大156W
安裝類型底座安裝

以上是APTC80H29T1G的詳細信息，包括APTC80H29T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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