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APTC60DAM35T1G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP1
數(shù)量：
 5688  
說明：
 MOSFET N-CH 600V 72A SP1
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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 72A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)600V
Id 時的 Vgs(th)（最大）3.9V @ 5.4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs518nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C72A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 14000pF @ 25V
功率 - 最大416W
安裝類型底座安裝

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