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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：600V，47A，4.7 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：18ns/149ns
柵極電荷：200 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)能量：1.625mJ（開(kāi)），1.389mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：625 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：3.1V @ 15V，47A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：239 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：145 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900 V
IGBT 類型：PT
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：POWER MOS 8?
系列：管件
品牌：Microchip Technology
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