點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 15.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)550V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 3286pF @ 25V
功率 - 最大403W
安裝類型通孔

以上是APT5518BFLLG的詳細(xì)信息，包括APT5518BFLLG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

CSD19531Q5A

R6007JND3TL1

NVMYS5D3N04CTWG

BSZ0501NSIATMA1

YJB200G06B

IPLK80R750P7ATMA1

RS1L120GNTB

SIHJ690N60E-T1-GE3

STL9N60M2

STD110N8F6