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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C350 毫歐 @ 25A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs560nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 18200pF @ 25V
功率 - 最大960W
安裝類型底座安裝

以上是APT32F120J的詳細信息，包括APT32F120J廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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