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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：690W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6200 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：290 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：570 毫歐 @ 11A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：22A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：POWER MOS 7?
系列：散裝
品牌：Microchip Technology
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