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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐 @ 11.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs154nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C21A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 4350pF @ 25V
功率 - 最大460W
安裝類型底座安裝

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