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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C600 毫歐 @ 500mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 7200pF @ 25V
功率 - 最大520W
安裝類型底座安裝
以上是APL1001J的詳細信息，包括APL1001J廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
