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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2560 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.3 歐姆 @ 4.5A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：900 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：管件
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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