AIHD10N60RFATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-313
數(shù)量：: 6444
說明：: IC DISCRETE 600V TO252-3

一、本商品被瀏覽0次.

AIHD10N60RFATMA1 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
測試條件：400V，10A，26 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：12ns/168ns
柵極電荷：64 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：190μJ（開），160μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：150 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：30 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是AIHD10N60RFATMA1的詳細(xì)信息，包括AIHD10N60RFATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：