色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > 55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 3-CP
數量：: 8469
說明：: 射頻雙極電源晶體管 SWITCHING DEVICE

一、本商品被瀏覽0次.

55GN01CA-TB-E PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

晶體管極性：NPN
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：+ 25 C
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產品fT：4.5 GHz
包裝形式：Reel
封裝形式：CP
功率耗散：200 mW
最大直流電集電極電流：70 mA
集電極連續電流：5 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：10 V
最大工作頻率：5.5 GHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是55GN01CA-TB-E的詳細信息，包括55GN01CA-TB-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：