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4N35M

廠家:
  Lite-On
封裝:
 6-DIP
數量:
 2511  
說明:
 晶體管輸出光電耦合器 PTR 100%, 3.5KV
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4N35M-6-DIP圖片

4N35M PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:65
輸出類型:DC
輸出設備:NPN Phototransistor
每芯片的通道數量:1 Channel
最大上升時間:10 us
最大反向二極管電壓:6 V
最大輸入二極管電流:60 mA
最大下降時間:10 us
包裝形式:Tube
封裝形式:PDIP-6
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大功率耗散:350 mW
最大集電極電流:100 mA
最大正向二極管電壓:1.5 V
絕緣電壓:3550 Vrms
最大集電極/發射極飽和電壓:0.3 V
最大集電極/發射極電壓:30 V
輸入類型:DC
RoHS:是
產品種類:晶體管輸出光電耦合器
制造商:Lite-On

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