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4N35-000E

廠家：: Avago Technologies
封裝：: 6-DIP
數(shù)量：: 2367
說明：: 晶體管輸出光電耦合器 3550 Vrms 60mA

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4N35-000E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：65
輸出類型：DC
輸出設(shè)備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量：1 Channel
最大上升時間：10 us
最大反向二極管電壓：6 V
最大輸入二極管電流：60 mA
最大下降時間：10 us
正向電流：60 mA
包裝形式：Tube
封裝形式：PDIP-6
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：350 mW
最大集電極電流：100 mA
最大正向二極管電壓：1.5 V
絕緣電壓：3550 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：0.3 V
最大集電極/發(fā)射極電壓：30 V
輸入類型：DC
RoHS：是
產(chǎn)品種類：晶體管輸出光電耦合器
制造商：Avago Technologies

以上是4N35-000E的詳細信息，包括4N35-000E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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