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2SK3564(STA4,Q,M)

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 TO-220SIS
數量：
 5985  
說明：
 MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
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2SK3564(STA4,Q,M)-TO-220SIS圖片

2SK3564(STA4,Q,M) PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.3 歐姆 @ 1.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：900 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：π-MOSIV
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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