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中文參數(shù)如下: 工廠包裝數(shù)量:1000 上升時間:25 ns 功率耗散:65 W 最小工作溫度:- 55 C 下降時間:10 ns 封裝形式:TO-220 SM 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.65 Ohms 漏極連續(xù)電流:10 A 閘/源擊穿電壓:+/- 30 V 汲極/源極擊穿電壓:450 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:Toshiba