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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐 @ 1A, 4V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs-
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C2A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 173pF @ 10V
功率 - 最大1W
安裝類型表面貼裝
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