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中文參數如下：
工廠包裝數量：25
上升時間：100 ns
功率耗散：200 W
下降時間：150 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1 Ohms
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba
以上是2SK1489(Q)的詳細信息，包括2SK1489(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
