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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 歐姆 @ 10mA, 2.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：4.5pF @ 5V
功率 - 最大：150mW
安裝類型：表面貼裝

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